【日经BP社报道】 美国IBM、索尼、索尼计算机娱乐（SCE）和东芝将组成强强联盟。这几家公司已经达成协议，将利用IBM公司开发的SOI（silicon on insulator）技术和最尖端的半导体材料来联合开发下一代及下下一代半导体加工技术。2001年3月，IBM公司和SCE及东芝宣布，将联合开发新一代微处理器“CELL”，同时SCE将从IBM公司获得0.1μm规格的SIO技术使用授权。此次的发表意味着，在加工技术开发方面，在SCE和IBM公司联盟还要加上索尼和东芝。

　　此次四公司联合开发的制造加工技术将面向包括“CELL”在内的、从数字家电到并列分布计算机等范围更加广泛的应用领域。今后四年内，还将投入数亿美元开发在300mm晶圆上的采用微细加工技术的LSI。

　　联合开发中将从各公司向IBM公司的半导体研究开发中心--SRDC（Semiconductor Research and Development Center）调集技术人员。“在2003年第二季度以前将开发出0.1μm加工技术，2005年第2季度以前开发出0.07μm的加工技术。由于联合开发合同要到2005年年底才结束，所以在剩下的时间里，只要可能就将进行面向0.05μm加工技术的关键技术”（东芝）。

　　“此次之所以参与联合开发，一方面是为了削减研究开发的成本，另一方面是着眼于与作为半导体用户的索尼进行合作。这是因为通过和客户的紧密合作，网络终端产品和数字家电等领域的应用将带动尖端半导体业界的发展”（IBM）。此次联合开发的成果将分别应用于各自公司的产品中。比如，据IBM称，“不仅仅是‘CELL’，定制LSI以及半导体代工业务都有可能采用此次将联合开发的加工技术”。

　　已经计划参与此次联合开发的索尼和东芝，于2001年5月双方就已经达成协议，将联合开发面向0.1μm和0.07μm规格的系统LSI的加工技术和设计技术。“索尼和东芝目前正在联合开发的Bulk CMOS加工技术。此项联合开发工作今后仍将继续。此次四家公司联合开发的是SOI加工技术。两种加工技术将共存”（东芝）。

　　索尼表示：“参与此次联合开发工作的一个原因就是希望获得SOI加工技术。尤其是在低耗电高速度用途方面，必须用到此次联合开发的SOI加工技术。同时，在普通数字家电等领域中也将使用正在和东芝联合开发的Bulk CMOS加工技术”。另外在联合开发之外，各方还就将IBM公司的0.13μm规格的SOI技术移植到索尼和东芝产品中达成了协议。【订阅日经BP免费新闻】