4月2日消息，AMD已经研制出两种高级的晶体管设计，并且表示这两种新设计将提高芯片性能。

　　AMD研究人员展示了一种新的全绝缘硅晶体管(Fully Depleted Silicon-on-Insulator transistor)。这种绝缘硅晶体管采用了特殊材料，可更好地绝缘芯片中的晶体管，其目的是提高性能和减少耗电量。

　　ADM表示，对晶体管设计的这种技术改进能比迄今为止公布的方法速度提高30%。

　　AMD公司还展示了一种基于金属闸设计的新的张力硅晶体管。这种技术比普通张力硅晶体管性能提高了20%至25%。

　　但是，这两种新的晶体管设计目前还处于研究和测试阶段，短时间内还不会用于芯片生产中。AMD表示，这些新的设计将在本10年的后5年在该公司的芯片生产中发挥重要作用。

　　一般来说，按照摩尔定律，要增加新处理器的性能，厂商要在芯片中加入数量更多、体积更小的晶体管。由于晶体管体积越来越小，在芯片中的密度越来越大，芯片厂商将面临漏电和干扰的问题。这些问题将增加耗电量和影响芯片性能。

　　如果不对技术做显著的改进，这些问题将使芯片性能的提高停止2代或3代的时间。AMD、英特尔和IBM等公司的研究人员都在使用新材料研究和制作新的多闸晶体管设计，试图克服这个障碍。

　　AMD公司计划在今年6月份在日本京都举行的VLSI研讨会上详细介绍这两种晶体管设计。