刘易守 编译
据港台媒体报导，据市场调查机构iSuppli最新报告显示，2005年第二季(4～6月;Q2)全球DRAM厂商排名前3强依次为三星电子(Samsung Electronics)、现代(Hynix)、美光(Micron)，其中，现代与美光互换DRAM二哥地位。分析师认为，现代在部分产能转向NAND型快闪存(Flash)情况下，依然能从美光手中夺回DRAM二哥宝座，其中韩国利川12寸厂M10所带来的成本优势，居功厥伟。
就Q2整体DRAM市场而言，销售额从上季的65.7亿美元衰退到Q2的57亿美元规模，下跌13%，不过，全球DRAM百万位出货量仍增长15%。然而，受到产品均价(ASP)跌幅高达25%的拖累，DRAM供应商Q2只有少数几家实现获利。
分析师Nam Hyung Kim指出，因均价跌幅比小、百万位出货量增加，使现代Q2能够夺回DRAM二哥宝座。报告显示，Q2现代ASP下跌19%，美光Q2 ASP跌幅高达28%，此外，现代Q2百万位出货量增长10%，相比之下，美光Q2百万位出货量仅增长6%。
Kim提出警语表示，美光Q2似乎有意蓄积DRAM库存水准，等待价格比好的Q3来临，因此，现代若是因此而持续将DRAM产能转移到生产NAND型Flash方面，恐怕面对来势汹汹的美光，下半年的日子不好过;不过，现代则表示下半年打算多赚点DRAM价扬的利润，扩产NAND型Flash脚步可望放缓。
DRAM龙头的三星电子则计划2005年下半持续扩产NAND型Flash，三星主管表示，NAND型Flash 6成市场占有率率并不能满足三星，要继续拉大与其他内存厂商间差距。此外，三星在DRAM市场超过30%的市场占有率率，达成将对手远远甩在后面的目标。
