LSI逻辑90纳米制程RapidChip平台ASICs突破密度/性能界限
·RapidChip®架构在90纳米制程下，能够提供无以伦比的密度和性能优势;
·10M ASIC门、20Mb内存、500 MHz性能、64通道8.5 Gbps SerDes，RapidChip平台ASIC解决方案以相当低的前期投资，逐步抢占基于单元的ASIC的市场。
LSI逻辑近日宣布:计划采用本公司G90™(90纳米)工艺生产下一代RapidChip®平台ASIC系列产品。新的硅片将为系统设计师提供90纳米制程最大的集成度及性能优势，并提供RapidChip平台ASIC技术所拥有的快速上市、NRE支出减少、工程成本降低等优势。RapidChip G90系列产品使设计工程师可利用平台ASIC技术的优势，广泛用于包括通讯、存储、工业、医疗、国防和高端消费电子等在内的应用系统。
RapidChip G90系列产品提供不同配置的门数、内存资源、I/O、PLL及高速SerDes(Serializer/Deserializer)，以满足客户的各种不同应用。以下列有RapidChip G90系列产品的部分特色:
·最高达10M ASIC可用门;
·高达20Mb的分散MatrixRAM™内存:
Seamless内存层次结构、配合灵活RCell内存和高密度MatrixRAM，提供最大的灵活性，满足 客户对内存的需要;
·高达集成8.5 Gbps SerDes的64个通道;
·性能高达500MHz;
·支持业界最新的串行接口标准，包括PCI Express (5 Gbps), FibreChannel (8.5 Gbps), Serial RIO (6 Gbps), SATA/SAS (6 Gbps), HyperTransport 2.0 (2 Gbps), Gigabit 以太网, XAUI, 和SPI4;
·Landing Zone™处理器支持业界标准ARM, MIPS和ZSP架构内核，运行频率高达400 MHz;
·业界领先的并行内存接口，支持高达400 MHz/800 Mbps (DDR2):
支持包括FBDIMM, DDR1, DDR2和QDR2等在内的内存接口标准;
·提供多种标准封装选择，也可以定制FPBGA封装。
LSI逻辑同样提供从RapidChip 90nm工艺到经验证的LSI逻辑基于单元ASIC工艺的无缝移植，以满足大批量应用。由于LSI逻辑RapidChip平台ASIC和基于单元的ASIC均采用共同的处理技术，IP，高级封装等，因此使RapidChip seamless移植到基于单元的ASIC成为可能。
LSI逻辑副总裁、技术市场总监Rich Brossart 说:“90nm RapidChip提供目前基于平台ASIC解决方案最高的性能和密度。我们提供的独特产品将会使设计工程师利用90nm制程提供的性能，使NRE投资降到最低，并为广泛的创新设计找到风险、性能和设计周期等各方面的最佳平衡。”
在最新发布的题为“Structured ASICs, Designing for the Future”的报告中，In-Stat高级分析师Jerry Worchel将LSI逻辑评价为最成功的平台或结构ASIC供应商。该报告进一步阐述:“至目前为止，LSI逻辑已经成为最成功的结构ASIC供应商。虽然变化难以避免，但LSI逻辑在该领域的领导位置在近几年将不会有什么变化。”
