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闪存之路不好走 英特尔低容量产品被迫退场

(2005-01-17 16:41) (天极网) (天极网)
导读--IC渠道厂商指出,2004年下半年起无论是NAND或NOR型闪存市场,竞争均相当激烈

  天极网 1月17日消息 港台媒体消息称,全球闪存市场竞争激烈,加上需求表现不如预期,让CPU双雄英特尔及AMD均吃尽苦头;超微日前甫发布悲观财测指出,负责闪存事业的内存部门2004年第四季(Q4)恐出现亏损,并造成当日股价大跌26%,半导体龙头厂英特尔也难逃厄运,IC渠道厂商表示,经过近几个月厮杀竞争后,英特尔已被迫全面退出低容量NOR型闪存芯片组市场。

  IC渠道厂商指出,2004年下半年起无论是NAND或NOR型闪存市场,竞争均相当激烈,不少DRAM颗粒晶圆厂为进一步提高获利,纷以低价策略投入原本仅有东芝(Toshiba)及三星(Samsung)两大厂的NAND型闪存市场,加上这两大厂也不甘示弱,频用更低成本及更具竞争力的报价全面还击,造成NAND型闪存价格跌多涨少,整体报价持续滑落。

  NOR型闪存市场也面临同样问题,部分半导体大厂有鉴于NOR型闪存利润相当不错,纷纷前仆后继切入这一领域,其中,又以英特尔动作最为积极。IC渠道厂商指出,英特尔于2004年Q3时看好NOR型闪存报价及获利较佳,加上本身拥有部分晶圆片库存置于晶圆银行(Wafer Bank),英特尔为提升整体营收及获利,并进一步抢夺闪存市占率,遂决定回头抢攻16Mb以下的低容量NOR型闪存市场,引发业界不小的震撼。

  IC渠道厂商表示,由于当时英特尔所推出低容量NOR型闪存数量相当惊人,英特尔为能顺利卖出,不惜以低价策略抢占市场,加上原本于低容量NOR型闪存市场2大领导厂商Spansion及超捷(SST)也跟进厮杀,造成低容量NOR型闪存市场一片哀鸿遍野。

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责编:徐亚楠
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