ChinaByte 11月25日消息　英特尔称，它已经用65纳米生产工艺生产芯片。这一迹象强烈地表明，英特尔将继续跟上摩尔定律的发展步伐。

　　英特尔周一表示，它已经用65纳米生产工艺制作静态随机存储存储器单元并将从2005年开始使用这种生产工艺大规模生产。目前，市场上的大多数PC微处理器是采用130纳米生产工艺制作的。厂商现在刚刚开始使用90纳米工艺制作芯片。

　　减小芯片尺寸可以改善性能、降低成本和减少耗电量。总之，电子在65纳米芯片中流动的距离短，因此可以提高性能。在65纳米芯片中，闸长度可以从50纳米缩短到35纳米。英特尔高级研究员建工艺结构和集成经理Mark Bohr称，在不做进一步改善的情况下，性能可以提高40%至50%。

　　芯片中还可以加入更多的晶体管。这也可以提高性能。摩尔定律指出，随着生产工艺的进步，芯片中的晶体管数量每两年将增加一倍。虽然芯片厂商通常并不是自动地把晶体管的数量增加一倍，但是，他们还是在增加这个数量，以便在芯片中增加新的功能。

　　同时，由于同样的300毫米晶圆可以切割出更多的芯片，因此可以降低成本。Bohr说，用90纳米工艺生产的SRAM单元的尺寸是1平方微米。本星期披露的用65纳米工艺生产的SRAM单元的尺寸是0.57微米。此外，英特尔还能利用70%目前制作90纳米芯片的设备。这将进一步减少开支。

　　为减少能耗，除了减少耗电量和提高速度之外，这种65纳米芯片将包含拉伸硅和一个低介电系数层。90纳米芯片中也包含这些功能。

　　Bohr还表示，65纳米芯片将不包括3闸晶体管或者金属闸，或者高介电系数材料。这些技术将在2007年的45纳米芯片中应用。65纳米芯片也不采用IBM公司吹捧的绝缘硅技术。他说，我们没有看到使用绝缘硅技术会明显提高性能。他还表示，英特尔可能在未来十年里跟上摩尔定律的步伐。（完）