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三星:闪存需求将飚升 3年内跨入50纳米制程
【2004-04-20 09:14】 【】 【ChinaByte】

  ChinaByte 4月20日消息  韩国媒体Digital Chosun网站19日引述三星电子内存部门总裁Hwang Chang-Gyu谈话报导,由于预期闪存在2005年需求将出现爆炸性增长,该公司计划在2、3年内研发出使用50纳米制程的产品。

  Hwang指出:“去年电脑内存使用容量是移动电话用的5倍,但到了2007年,两者将不相上下。特别是用于数码相机和手机可储存庞大资料的NAND型闪存,将会是未来半导体增长的急先锋。”

  他认为,未来的内存将改头换面,不会再像过去类似大宗产品一样。“下一代的产品会是将多种内存产品功能合而为一的复杂芯片。” (完)

【责编:朱堂良】 【发表评论
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